SiP 为什么适合评估 MIP 等离子开封？

SiP 内部通常集成多种芯片与无源器件。MIP 提供无酸树脂去除路径，可降低酸腐蚀相关风险，并通过分段处理和阶段观察控制敏感结构的暴露。

MIP 会去除电阻表面的有机材料吗？

可能。本例电阻表面的有机层在器件露出后继续受到等离子作用，累计暴露过量时可能变薄或被去除。通过 DOE 确认短时窗口、及时停止及必要的局部保护，可以管理这一风险。

以目标结构已达到分析所需的可见程度为起点，同时检查残胶、表面保护层、端电极和互连；对需保持功能的样品，按约定方法验证阻值或相关电性。

需要重新确认。封装胶、填料、保护层和器件高度发生变化，都可能改变露出顺序与允许暴露范围，应使用代表性样品复验。

IDECAP / APPLICATION INSIGHTS

从 SiP、堆叠芯片到 3D 封装，查看多芯片、深层键合线与材料叠层的开封实拍、阶段记录和验证重点。

SiP / MIP 等离子开封与器件保护

面向多芯片、微细互连与无源器件集成的 SiP，采用 MIP 等离子分阶段开封，并通过 DOE 确认器件露出与电阻表面有机层保护的工艺窗口。

3D PACKAGING / 研磨 + MIP 后处理

面向半导体失效分析的 3D 封装芯片开封案例：客户机械研磨后采用 MIP 等离子去除 Underfill，关注 μbump 微凸点保护，并评估 iMech Pro 局部研磨与 MIP 后处理的组合路径。

MIP / 多层封装与存储芯片

围绕叠层遮挡、细密键合线和层间残胶，结合两个实拍案例，说明 MIP 开封的解决思路，以及 iMech Pro 与 MIP 配合进行后续 Die 去层的应用路径。

LET’S TALK

告诉我们封装类型、分析目标与需要保留的结构，一起确定适合的开封路径。