适合芯片背面减薄、局部机械开封及复杂材料结构的制样验证。
多种机械制样方式
根据材料和分析目标选择铣削、研磨或抛光，衔接粗加工与精加工。
控制位置与厚度
以调平、位置控制及适用的厚度测量方式，建立加工路径。
扩展应用验证
可评估带胶器件局部去除等应用；剩余硅层厚度按样品独立验证。
技术概览
| 项目 | 公开规格 / 应用信息 |
|---|---|
| 加工区域 | 300 × 200 mm |
| Z 轴分辨率 | 20 nm |
| Z 轴标称综合精度 | 优于 1 μm |
| 主轴最高转速 | 100,000 rpm |
| RST 测厚精度 | 2 nm或0.2% @ 0.1 um-20 um ，50 nm 或 0.4% @ 4 um -350 um |
分辨率不等于实际加工精度。RST 功能用于剩余硅厚度测量，具体材料需独立验证。
建议的工艺流程
- 定位与调平
- 分层机械去除
- 厚度及表面复核
样品评估需要的信息
- 封装与材料类型、目标结构及待保留区域
- 样品尺寸与结构图像、失效状态与后续分析方式
- 约定的表面、结构或厚度复核方法
六项配置，贯穿定位、加工与复核
按样品和应用目标组合配置。以下能力来自 iMech Pro 技术资料，具体模块、测量范围及验收条件以技术确认和实际交付配置为准。
01 精密铣抛
支持 2D / 3D 轮廓加工及目标区域减薄。 20 nm 轴分辨率与优于 1 μm 的综合精度。
02 非接触样品测高
获取样品表面形貌、局部高度与翘曲信息，为调平、补偿及加工后复核提供输入。
03 光学视觉定位
目标区域定位与观察，直接框选减薄位置，以及4K实时观察进展
04 IR + 可见光RST测量
面向普通减薄及超薄的硅及多达一百多种材料的剩余硅厚度测量。
05 双 R 轴调平
结合 Z 轴与双 R 轴调整局部加工姿态，评估倾斜和翘曲对目标区域的影响。
06 精密力学控制
监测与控制加工接触载荷，防止过切、压碎样品风险。
核心应用实拍
