样品与分析目标
机械减薄需要在目标区域获得适合后续分析的厚度与表面状态，同时控制局部倾斜、受力及边缘影响。
| 项目 | 案例信息 |
|---|---|
| 应用方向 | 芯片背面与局部硅减薄 |
| 过程控制 | 测高、调平、定位、分层去除 |
| 厚度复核 | RST 适用于剩余硅厚度；按实际材料与配置确认 |
处理记录
资料将该图列为晶圆减薄应用示例。图中为封装内芯片区域，不据此推导整片晶圆加工尺寸或厚度均匀性指标。
实拍图像
iMech Pro / 精密机械制样
机械减薄：面向芯片背面与局部分析
以 iMech Pro 应用实拍展示芯片背面减薄方向，结合测高、调平、视觉定位与适用的剩余硅厚度测量建立加工路径。
LET’S TALK
从一个样品，开始技术确认。
告诉我们封装类型、分析目标与需要保留的结构，一起确定适合的开封路径。