CUSTOMER APPLICATION / 客户真实应用
去除 Underfill，
让关键互连重新可见。
本案例来自客户的 3D 封装芯片制样需求。客户先完成机械研磨，再对暴露区域的 underfill 进行去除。难点在于：既要打开 μbump（微凸点）及其周边界面，又要尽可能避免后处理改变原有失效状态。
3D 封装 Underfill 去除：案例工艺摘要
3D 封装芯片研磨后如何去除 Underfill（底部填充胶）并保留 μbump 微凸点观察条件？本客户案例采用机械研磨预处理＋MIP（微波诱导等离子）后处理，针对酸去胶可能引入短路的风险，展示去胶后互连与周边表面的脱敏实拍。开芯 IDECAP 同时建议评估 iMech Pro 从底部局部研磨＋iPlasma MIP，用于指定区域的芯片开封与半导体失效分析制样。电气一致性需结合处理前后测试确认。
3D 封装
目标：互连与界面可观察
研磨后 MIP
路径：预去层与等离子后处理
局部可扩展
方案：iMech Pro + iPlasma MIP
01 / CUSTOMER CHALLENGE
客户的痛点：
去胶之后，不能多出新的失效。
据客户提供的案例信息，研磨后采用酸去除 underfill，存在引入 μbump 短路的风险。对于失效分析，这会带来一个关键问题：观察到的异常究竟来自器件原始失效，还是来自制样过程？因此，后处理不仅要关注去胶效果，也要关注互连状态与分析证据的保留。
互连密集，处理窗口有限
残余胶层遮挡微凸点及其间隙；持续研磨至完全暴露，可能触及目标互连。需要在接近界面时保留适当余量，再选择精修方法。
高度不一致，终点难统一
局部倾斜、翘曲、叠层差异或前道研磨不均，会使不同区域先后到达目标层。应分区复核剩余材料，避免仅凭单一平面设定加工终点。
去胶与洁净度需要分别确认
树脂去除后仍可能留下无机填料、颗粒或局部残留。不能只看整体颜色变化；还需观察 bump 周围、间隙与目标界面的实际暴露状态。
02 / PROCESS ROUTE
研磨后 Underfill 去除：
MIP 等离子精修流程。
客户本次采用的是“机械研磨预处理＋MIP 等离子后处理”的组合路线。客户反馈 MIP 能够将目标区域的 underfill 去除干净；所提供的处理后显微图可见成列互连及其周边表面。
01
确认目标层
明确需要观察的 μbump 区域、保留结构与后续分析方法。
02
研磨并保留余量
从芯片底部向目标界面逐步去层，复核局部高度与剩余层；保留原顶部 die。
03
MIP 分段精修
针对残余有机胶层设定后处理区域，分阶段检查去除状态。
04
检查与结果复核
确认表面暴露、残留颗粒和互连形貌，并按目标安排电气复测。
MIP（Microwave-Induced Plasma，微波诱导等离子）用于有机材料后处理。具体胶材、填料和金属体系仍需确定适配工艺；去除速度、温度、循环次数及清理方式应通过代表性样品验证。
03 / ACTUAL RESULTS
真实表面，保留真实细节。
以下两幅图均来自客户提供的同一张处理后高清照片。大视野图呈现互连阵列与周边区域，细节图展示凸点及其间隙。为保护样品信息，不公开整颗芯片布局、封装轮廓或原图定位关系。
这组图能够说明什么？
所选视野中，成列互连及其间区域已可观察，为进一步显微检查提供了条件。本节实拍图未补绘、未删除疑似残胶或缺陷，也未用生成式图像替代工艺结果。
表面可见不等于电气无短路，也不能单凭光学照片认定零残留或无损伤。本案例未公开处理前后电气测试、SEM/EDS 对照、批次成功率或节拍数据，因此不作相应量化承诺。
04 / IDECAP COMBINED SOLUTION
iMech Pro 底部局部研磨
＋MIP 等离子后处理。
对于仅需观察某个失效位置、局部互连或指定界面的任务，开芯建议评估 iMech Pro 底部局部研磨＋iPlasma MIP 后处理：从芯片底部限定小窗口并向目标界面逐步去层，保留原顶部 die 和适当后处理余量，再通过底侧窗口开展 MIP 去胶与分段观察。
中央开窗，看清 Underfill 去除前后。
样品翻转后底面朝上，原顶部 die 位于下方。以约 45° 俯视角展示放大的中央窗口：iMech Pro 局部研磨后，孔内仍保留琥珀色 Underfill 胶层；随后通过同一窗口进行 MIP 后处理，显露 μbump 及其间隙。
01 · 翻转样品，中央选区
将封装底面朝上、原顶部 die 朝下，在中间区域确定研磨窗口。图中扩大窗口，便于观察后续孔内的胶层与互连变化。
02 · 局部研磨，保留 Underfill
iMech Pro 从底面中央向目标界面逐步去层。孔内的琥珀色胶层表示仍待处理的 Underfill；接近微凸点时保留适当余量，保护下方 die 与目标互连。
03 · MIP 后处理，去除胶层
通过同一窗口对可达有机 Underfill 分段精修。图中同时呈现有胶与已去胶区域，说明胶层去除后，微凸点及其间隙逐渐显露。
04 · 去胶后，观察微凸点
孔内琥珀色胶层已去除，银色 μbump 与深色间隙清晰显露；窗口外材料与下方原顶部 die 保留。实际残留、填料及电气状态仍按分析目标复核。
图示材料：浅灰＝翻转后朝上的底部材料；下方深灰＝保留的原顶部 die；琥珀色＝Underfill 胶层；银色＝μbump；蓝紫辉光＝MIP 后处理。对比重点为中央窗口内的“有胶 → 去胶”，窗口外胶层保持保留。
iMech Pro｜局部机械制样
- 围绕目标位置设置底侧小区域研磨路径，从底部向目标界面接近，保留原顶部 die。
- 结合夹持、定位及高度复核，分阶段接近目标界面。
- 保留适当后处理余量；窗口尺寸和剩余厚度由样品验证确定。
iPlasma MIP｜残余胶层后处理
- 针对研磨后残余有机胶层进行精修，评估替代酸去胶的可行性。
- 关注 μbump 周围、间隙及界面暴露，必要时配合适配的颗粒清理。
- 以图像复核和后续分析要求共同确定终点。
本案例的前道研磨由客户完成；iMech Pro 是开芯面向类似任务推荐的局部制样配置，工艺窗口需通过样品评估确认。
05 / EVALUATION CRITERIA
从“看得见”，走向“可分析”。
| 评估重点 | 建议检查内容 |
|---|---|
| 目标界面 | 指定区域是否充分暴露；各区域终点是否一致。 |
| 残胶与填料 | 检查互连间隙、bump 周缘及颗粒遮挡；必要时补充 SEM/EDS。 |
| 互连形貌 | 对比处理前后可获取的形貌记录，关注缺损、变形、腐蚀迹象与疑似桥连。 |
| 电气一致性 | 条件允许时复测短路、开路、漏电或 I–V 特征，区分原始失效与制样影响。 |
| 过程可追溯 | 保留定位图、阶段图、参数与终点判定记录；批量使用前验证重复性。 |
这一路线适合评估 3D / 2.5D 封装、堆叠芯片及含 underfill 的局部互连分析。实际适用性取决于目标层位置、材料体系、样品状态和可允许的处理影响。
06 / APPLICATION QUESTIONS
Underfill 去除与 MIP 等离子开封常见问题
3D 封装芯片研磨后，Underfill 如何去除？
本案例采用客户机械研磨后的 MIP 等离子后处理，去除目标界面残余有机胶层。工艺应结合胶材、无机填料、金属体系与剩余厚度确定，并分阶段检查微凸点周围和间隙的暴露状态。
为什么 μbump 微凸点分析需要关注酸去胶风险？
客户反馈，在其样品条件下，研磨后用酸去除 Underfill 存在引入 μbump 短路的风险。制样引入的新异常可能干扰失效定位，因此需要评估替代去胶路径，并用处理前后图像和电气记录复核；具体风险取决于材料与工艺条件。
iMech Pro 可以与 MIP 配合做局部芯片开封吗？
开芯推荐评估 iMech Pro 底部小区域研磨＋iPlasma MIP 精修：围绕失效位置从芯片底部向目标界面逐步去层，保留原顶部 die 与适当后处理余量，再通过底侧窗口开展 MIP 后处理。窗口大小、剩余厚度与终点判定需通过代表性样品验证。本客户案例的前道研磨由客户完成。
MIP 去胶后图片清晰，是否代表没有短路或残留？
图片可以支持表面暴露和互连形貌观察。是否存在电气短路、漏电、微量残留或材料变化，还需按分析目标补充电气测试、SEM 或 EDS 等复核；本页面不以光学照片代替这些测试结果。
07 / PROCESS TERMINOLOGY
工艺术语与分析对象
3D 封装芯片开封（3D package decapsulation）
为失效分析去除目标位置的封装或叠层材料，使内部互连和界面可供观察。本案例关注研磨后的 Underfill 后处理。
Underfill 去除（底部填充胶去除）
Underfill 是填充在芯片与互连周围间隙中的材料；Underfill removal 指去除目标区域填充材料以暴露分析界面。残余树脂和无机填料需分别评估。
μbump 微凸点（microbump / u-bump）
用于细间距芯片互连的微小凸点。制样需关注凸点形貌、邻近间隙及原始电气失效特征的保留。
MIP 等离子开封（microwave-induced plasma）
MIP 即微波诱导等离子。本案例将 MIP 用于机械研磨后残余有机胶层的精修，具体材料兼容性和处理终点需验证。
局部机械研磨（localized mechanical grinding）
围绕指定位置进行局部材料去除。本方案从芯片底部向目标界面接近，保留原顶部 die；iMech Pro 可与 MIP 后处理构成分阶段制样工艺。
半导体失效分析（semiconductor failure analysis）
通过定位、制样、显微观察及必要的电气或材料测试，分析器件异常原因。本案例旨在为目标互连与界面分析提供制样路径。
让目标位置，决定制样方案。
提供封装类型、目标区域、研磨后的剩余材料情况，以及需要保留的失效特征。开芯可据此讨论局部研磨窗口、MIP 后处理路径与验收方法。
图片说明：本站展示经裁切脱敏的真实局部图像，不公开完整芯片布局；图像无标尺，不用于尺寸计量。客户名称与样品型号未公开。