MIP · 微波诱导等离子
什么是 MIP 微波诱导等离子？
MIP 是 Microwave-Induced Plasma 的缩写，即微波诱导等离子体。在芯片开封中，微波能量激发工艺气体，产生以活性氧自由基为主的反应物种，与封装中的有机树脂反应，逐步去除覆盖层，让 Die、键合线、焊盘和互连区域显露。
开芯的 MIP 开封采用氩气/氧气工艺路径，重点是有机树脂的选择性去除。树脂去除后，二氧化硅等无机填料可能仍需配合清理；金属、填料和有机材料的响应不同，应分别确认处理终点。
01
微波激发
通过微波能量激发工艺气体，产生用于去胶的活性物种。
02
有机材料反应
活性氧与有机树脂反应，逐步打开通往目标结构的观察区域。
03
结构暴露与复核
分段检查残胶、填料和关键表面，再衔接显微、SEM–EDS 或电性分析。
什么是常压 MIP？
常压 MIP 是在接近环境大气压的条件下，利用微波诱导等离子去除有机封装材料的工艺。无需为开封建立真空环境，便于样品装卸、分段观察和衔接前后制样工序。
01
无需抽真空
在大气压条件下处理样品，省去真空腔体的抽气与放气环节，便于装卸和检查。
02
便于分段处理
按阶段检查结构暴露情况，再决定是否继续去胶；可衔接激光预处理或 iMech Pro 局部开窗。
MIP 有什么好处？
MIP 的价值在于控制去胶过程：减少酸腐蚀和直接机械接触，逐步暴露敏感结构，并尽量为后续分析保留原始证据。其选择性来自材料与配方的匹配，需要通过样品验证。
01
减少酸腐蚀风险
为薄铝焊盘、铜线、镀钯铜线及焊料互连提供无酸去胶选择，降低强酸侵蚀带来的形貌改变。
02
接近精细结构
以活性物种反应为主，减少在细线、焊盘和敏感表面附近继续机械刮磨的需要。
03
保留更有价值的证据
逐步显露金属细丝、桥接及周围空隙，把缺陷的位置、形貌和成分联系起来，减少制样对判断的干扰。
04
衔接多种分析
在目标结构与所需电连接保留的前提下，衔接光学观察、SEM–EDS、键合检查及开封前后的电性比较。
MIP 主要解决什么开封问题？
当目标是暴露精细金属、薄焊盘、深层互连或失效异物，而传统酸液或持续机械去除可能影响这些结构时，MIP 可以成为精细去胶与后处理的关键环节。
| 应用与目标 | 客户遇到的问题 | MIP 的处理思路 |
|---|---|---|
| 小尺寸 MEMS / 薄铝焊盘 | 酸液可能侵蚀薄铝层，导致焊盘表面变化或脱落。 | 以无酸方式去除覆盖树脂，分段确认焊盘状态。查看 MEMS 案例 ↗ |
| 多层 Die / 存储芯片 | 深层胶体与细键合线交错，处理时既要去胶，也要保留层间结构。 | 分阶段显露各层线弧与焊盘，按需要衔接逐层分析。查看叠 Die 案例 ↗ |
| SiP / 内置无源器件 | 多种芯片、焊料及电阻表面有机层同时存在，单一去胶条件难以兼顾。 | 用 DOE 确认短时暴露窗口，器件露出后及时复核。查看 SiP 案例 ↗ |
| Flip Chip / 微短路 | 残胶遮挡细小金属异物，酸洗或触碰可能改变脆弱连接。 | 去除有机覆盖，让金属细丝与邻近空隙显露，再做形貌和成分分析。查看微短路案例 ↗ |
| 3D 封装 / Underfill | 精密研磨后仍有残胶，继续研磨或酸处理可能干扰微互连。 | iMech Pro 局部研磨建立通道，再用 MIP 后处理目标区域。查看 3D 封装案例 ↗ |
把终点设在“足够暴露”。 MIP 也会作用于需要保留的有机保护层，并可能改变部分材料的表面状态。应将气体配方、功率、温度、处理时长和填料清理纳入 DOE，在结构露出后复核；是否保持电性，以实际测试为准。
在 iPlasma 中，把 MIP 接入现有制样流程
iPlasma 聚焦独立的 MIP 等离子处理。对较厚的塑封材料，通常先使用外部激光设备预开窗；对局部深层目标，可配合 iMech Pro 建立观察通道，再由 MIP 去除目标附近残胶。
外部激光或 iMech Pro 预处理 iPlasma MIP 阶段复核与分析
适合精修开封、预处理后残余材料去除，以及对关键区域逐步观察的制样任务。单等离子，一般需要配合激光开封机使用。
聚焦关键区域
根据待观察部位调整加工区域，保留后续显微分析需要的结构信息。
衔接前序制样
可在激光预开窗后进行精细处理，构建分阶段制样流程。
关注材料响应
针对封装胶、填料和金属体系评估清除效果与工艺影响。
技术概览
| 项目 | 公开规格 / 应用信息 |
|---|---|
| 核心工艺 | 大气压 MIP 等离子 |
| 主要目标 | 有机封装材料及残余材料去除 |
| 观察对象 | Die 表面、键合线、焊盘等 |
| 配套流程 | 预开窗、精修、清洁及显微复核 |
不同胶材、无机填料、敏感表面与金属组合的响应存在差异，需通过代表性样品确认工艺窗口。
围绕目标结构，确认等离子处理窗口
MIP 技术资料强调无内部电极、高密度等离子体及粒子轰击控制等设计方向。应用评估仍需检查有机材料去除、填料残留与金属表面状态，特别是薄铝层和深层键合结构。
MIP · 2025 · 多头与大尺寸系列
独立设参，批量开封。适配多样品与大尺寸 PCBA。
2025 年，开芯推出双头、三头、四头常压 MIP 等离子开封设备。iMech Duo、Trio、Quad 的每支炬均可独立设置工艺参数，便于并行对比不同参数组合、快速验证工艺；各工位可装载多颗样品，提高批量开封效率。iMech Plus 既支持大尺寸 PCBA 板上目标芯片的局部开封，也可一次装载多颗独立样品进行批量处理。
横向滑动表格，查看全部配置 →
| 配置对比 | iMech Duo双头等离子 | iMech Trio三头等离子 | iMech Quad四头等离子 | iMech Plus大尺寸 · 多样品 |
|---|---|---|---|---|
| 设备外观 |  型号外观示意 |  型号外观示意 |  型号外观示意 |  型号外观示意 |
| 开封应用示意 | 双炬独立设参 · 多样品批量处理 | 三炬独立设参 · 多样品批量处理 | 四炬独立设参 · 多样品批量处理 | 在板芯片开封 / 多颗样品批量处理 |
| 核心价值 | 双头并行，兼顾快速工艺验证与批量开封 | 三头并行，兼顾快速工艺验证与批量开封 | 四头并行，兼顾快速工艺验证与批量开封 | 大尺寸 PCBA 在板开封与多样品批量处理 |
| 适用需求 | 两支炬分别设置参数，便于对比工艺组合；各工位多颗样品单列装载，适合工艺验证后转入批量开封。 | 三支炬分别设置参数，支持多组工艺对比与快速验证；多颗样品分组装载，衔接重复性制样与批量开封。 | 四支炬分别设置参数，支持并行工艺验证；各工位多颗样品紧密单列排列，提高批量开封效率。 | 支持大尺寸 PCBA 与配套夹具，对板上目标芯片局部开封；也可一次装载多颗独立样品，按批次处理。结合板卡、芯片尺寸与周边器件确认布局及防护范围。 |
图中样品数量仅为排列示意，不代表固定或最大装载量。实际装载数量与间距根据芯片尺寸、夹具及工艺布局确定；开封效率取决于材料、开封范围与参数配方。外观与应用图均为示意，Plus 的在板模式还需结合器件高度及目标位置确认加工与防护范围。
提供样品数量、目标节拍，或 PCBA 尺寸与目标芯片位置，与开芯一起确定适合的 MIP 开封配置。
