EOS / 碳化与功率器件

EOS 碳化样品:保留失效区域的观察线索

面对电过应力后的碳化与局部受损结构,围绕异常区域分阶段开封,保留芯片表面和键合区域的可观察特征。

EOS 碳化样品:保留失效区域的观察线索

样品与分析目标

失效后的封装材料与正常样品可能呈现不同的处理响应。制样需要同时关注碳化区域、芯片表面与键合连接,避免在没有阶段记录的情况下继续扩大去除范围。

项目案例信息
样品状态EOS 碳化相关失效样品
观察对象芯片表面、键合区域与局部异常
时间与良率原资料未提供统计

处理记录

资料展示功率封装内部结构,以及另一组芯片表面局部异常区域的图像。不同图像并非同一颗样品的连续前后对照,不据此推导缺陷形成顺序。

实拍图像

功率封装开封后的芯片与键合区域实拍。
功率封装开封后的芯片与键合区域实拍。
另一组样品的表面局部区域;用于观察异常位置与周围结构。
另一组样品的表面局部区域;用于观察异常位置与周围结构。

结果复核重点

  • 在制样前关联电性、X-ray 或其他已有定位线索。
  • 保存阶段图像,区分原始失效迹象与可能的制样影响。
  • 外观异常的成因应结合进一步分析,不单凭颜色或形貌定性。

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