MIP 等离子去胶：电阻有机保护层与 DOE 工艺窗口

PASSIVE COMPONENT PROTECTION

将器件露出、表面有机层变化与电性保持分别确认，通过短时分段处理和 DOE 建立去胶与器件保护的重叠窗口。

本例电阻表面含有机材料。MIP 在去除封装胶和残胶的同时，也可能作用于已经暴露的器件表面有机保护层。因此，工艺控制应关注器件露出后的累计暴露，而不只是胶是否去干净。

通过 DOE 确认短时、分段的处理窗口，在电阻、焊盘及目标互连露出后及时停机，可兼顾开封目标与器件表面保护。是否保持电性，应结合处理前后的测试结果确认。

器件露出后继续累积处理，表面有机材料可能逐渐变薄或被去除。表面保护层变化与电阻本体失效需要分别判断；出现异常时应暂停，并结合阻值、端电极及焊点状态复核。

以上为独立的板级电阻工艺观察，用于说明 SiP 中含有机保护层无源器件的控制思路；并非案例 A 或 B 的同位置对照。两张图的倍率与视野不同，外观图不能单独证明电性保持不变。

DESIGN OF EXPERIMENTS

把工艺窗口建立在验证上

DOE（实验设计）的目标，是找出目标结构已露出，而关键器件表面和电性仍满足要求的重叠窗口。用代表性样品建立配方，再以重复样验证边界，不直接套用其他封装的处理时长。

验证环节	怎么做	判定依据
建立基线	记录封装胶、填料、器件型号及保护层信息；采集初始图像和可测电性。	明确需要保留的有机层、金属和互连。
设置因素	围绕设备支持的配方、功率、温度管理、单段暴露及清理间隔安排试验。	一次明确变化因素；保留对照和重复样。
分段观察	从保守条件逐步推进；器件首次露出后缩短观察间隔。	目标可见程度、残胶、保护层外观、焊盘和键合结构。
确认停止点	目标达到分析要求即停机；必要时采用局部保护，减少已露出区域继续暴露。	表面状态与电性同时合格，不以“越干净越好”为终点。
固化与复验	记录合格配方及允许波动范围，按器件和胶材批次复验。	保留安全余量；材料或封装结构变化后重新确认。

在经 DOE 验证的短时窗口内完成器件露出，并及时停止继续处理，是兼顾 MIP 去胶效果与电阻表面有机层保护的关键。

SiP APPLICATION

电阻表面保护的控制思路已融入 SiP MIP 开封案例，结合封装结构、酸开封风险、案例 A / B 及分阶段处理进行说明。查看 SiP 开封与无源器件保护 →